K-§MART SEEDS集クラッキング硫黄分子線を用いた硫化物薄膜の作製と薄膜太陽電池デバイスへの応用
概要
クラッキング硫黄分子線を用いた多元素同時蒸着による硫化物薄膜の作製を行うことができます。クラッキングセルを用いていることにより，活性な硫黄分子線を得ることができ様々な硫化物薄膜の形成が可能です。また，得られた硫化物半導体薄膜を光吸収層として用い，必要な各種金属，半導体層を積層することで，薄膜太陽電池(光電変換素子)として，デバイス応用の検証も可能です。
- 従来技術
- 硫化物薄膜の真空製膜の方法として，硫化物を蒸着源に利用する方法があります。純元素を蒸着源に用いた場合，単に硫黄を蒸発させただけではS8分子となると考えられます。
- 優位性
- クラッキングされた活性な硫黄分子線を用いることで，高品質な硫化物薄膜を得ることが期待されます。
特徴
クラッキング硫黄分子線を用いた多元素同時蒸着による硫化物薄膜の作製を行うことができます。クラッキングセルを用いていることにより，活性な硫黄分子線を得ることができ様々な硫化物薄膜の形成が可能で，その組成比の制御なども可能です。さらに，K-セルのほか，EBによる高融点の材料との同時蒸着も可能です。
また，得られた硫化物半導体薄膜を光吸収層として用い，必要な各種金属，半導体層を積層することで，薄膜太陽電池(光電変換素子)として，デバイス応用の検証も可能です。Cu2SnS3の作製と薄膜太陽電池への応用
Cu2GeS3の作製と薄膜太陽電池への応用
SnS薄膜の作製と薄膜太陽電池への応用
二次元材料 MoS2薄膜の作製
- 実用化イメージ・想定される用途
- ・硫化物薄膜材料の開発
・レアメタルフリー薄膜太陽電池の開発
- 実用化に向けた課題
- ・製膜条件の探索
・大面積化
研究者紹介
荒木 秀明（あらき ひであき）researchmap
長岡工業高等専門学校・物質工学科・教授
研究者からのメッセージ
硫化物に特化した技術となりますが，ご興味をお持ちの企業の技術相談や，共同研究等をご検討の際には，気軽にご連絡ください。
- 研究キーワード
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硫化物
薄膜
同時蒸着
クラッキング
- 知的財産権
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硫化物薄膜を用いた光電変換素子に関して，
特許5641284，荒木秀明，片桐裕則，化合物半導体、光電素子及びその製造方法，独立行政法人国立高等専門学校機構，平成22年2月3日
